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图片 | 物料详细 | 品牌 | 交期(周) | 参考价格(未税) | 库 存 | 需求数量
MOQ|MPQ | 操作 | |
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12 |
期货 |
Max:
Min: 5000
Step: 50
5000 |50 |
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MS51FB9AE 带有 flash 的增强型 8 位 8051 内核微控制器(1 T 工作模式),工作频率最高至 24 MHz,支援电压工作范围 2.4 V 显示更多(+) MS51FB9AE 带有 flash 的增强型 8 位 8051 内核微控制器(1 T 工作模式),工作频率最高至 24 MHz,支援电压工作范围 2.4 V 至 5.5 V,工业级工作温度 : - 40 ℃ 至 105 ℃,并且包含 16 K 位元组的 Flash 以及一个额外 1 K 位元组片上辅助 RAM ( XRAM ),备有丰富的外设,如 18 个通用 I / O、计时器、看门狗计时器、2 组 UART、1 组 SPI、1 组 I²C、6*16-bit 路 PWM 及 8 路 12 位 ADC 等。提供 TSSOP20 封装。 显示更少(-) 模拟器件 |
12 |
¥2.71 |
香港 |
Max:
Min: 2500
Step: 2500
2500 |2500 |
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M031FC1AE 是基于 Arm® Cortex®-M0 内核的低工作电压微控制器,具有 32 位硬体乘法器/除法器。运行工作频率高达 48 MHz,工作电压为 1.8 V~ 3.6 V,配备 显示更多(+) M031FC1AE 是基于 Arm® Cortex®-M0 内核的低工作电压微控制器,具有 32 位硬体乘法器/除法器。运行工作频率高达 48 MHz,工作电压为 1.8 V~ 3.6 V,配备 32 KB Flash和 4 KB SRAM。 显示更少(-) 模拟器件 |
12 |
1000 香港和深圳 |
Max: 14800
Min: 14800
Step: 74
14800 |74 |
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ML51FB9AE 包含 32 K 位元组的 Flash 以及一个额外 2 K 位元组片上辅助 RAM (XRAM),备有丰富的外设,如 28 个通用 I/O、2 显示更多(+) ML51FB9AE 包含 32 K 位元组的 Flash 以及一个额外 2 K 位元组片上辅助 RAM (XRAM),备有丰富的外设,如 28 个通用 I/O、2 组串口、1 组 ISO-7816 介面、2 组 I²C 与 2 组 SPI,并提供 QFN33 封装。 显示更少(-) 模拟器件 |
12 |
128 香港和深圳 |
Max: 3920
Min: 3920
Step: 490
3920 |490 |
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ML51BB9AE 包含 16 K 位元组的 Flash 以及一个额外 1 K 位元组片上辅助 RAM (XRAM),备有丰富的外设,如 7 个通用 I/O、2 显示更多(+) ML51BB9AE 包含 16 K 位元组的 Flash 以及一个额外 1 K 位元组片上辅助 RAM (XRAM),备有丰富的外设,如 7 个通用 I/O、2 组串口、1 组 ISO-7816 介面、2 组 I²C 与 1 组 SPI,并提供 MSOP10 封装。 显示更少(-) 模拟器件 |
12 |
30 香港和深圳 |
Max: 50
Min: 50
Step: 50
24000 |80 |
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NUC029SDE特色为宽电压工作范围2.5V ~ 5.5V,工作温度 -40℃ ~ +105℃,内建22.1184 MHz高精度晶振 (1%准确度)。NUC029SDE备有丰富的通讯介面,如高达12通道PWM、定时器、看门狗定时器、四组UART、SPI、I²C、12位ADC、类比比较器等。 模拟器件 |
12 |
期货 |
Max:
Min: 2000
Step: 250
2000 |250 |
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NUC972DF61YC 採用 ARM926EJ-S 核心,执行速度高达 300 MHz ,堆叠 64 MB DDR-II 记忆体于同一封装,提供 216-pin LQFP 封装,大幅减少 PCB 显示更多(+) NUC972DF61YC 採用 ARM926EJ-S 核心,执行速度高达 300 MHz ,堆叠 64 MB DDR-II 记忆体于同一封装,提供 216-pin LQFP 封装,大幅减少 PCB 尺寸和降低电磁干扰 ( EMI ) 。 显示更少(-) 模拟器件 |
12 |
期货 |
Max:
Min: 320
Step: 40
320 |40 |
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M032SE3AE 是基于 Arm® Cortex®-M0 内核的低工作电压微控制器,具有 32 位硬体乘法器/除法器。运行工作频率高达 48 MHz ,工作电压为 1.8 V~ 3.6 显示更多(+) M032SE3AE 是基于 Arm® Cortex®-M0 内核的低工作电压微控制器,具有 32 位硬体乘法器/除法器。运行工作频率高达 48 MHz ,工作电压为 1.8 V~ 3.6 V,配备 128 KB Flash和 16 KB SRAM 。 显示更少(-) 模拟器件 |
12 |
¥6.96 |
香港 |
Max:
Min: 2000
Step: 250
2000 |250 |
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NCT6126D 属于新唐输出输入芯片 (Super I/O) 系列,其设计乃是针对工业计算机的特殊应用。NCT6126D 支持 6 组全功能序列埠,每一个序列阜支持 128-byte FIFO、RS-485 数据流向控制;除此之外,NCT6126D 尚支持打印机介面、键盘&鼠标 (KBC) 介面、输出输入 显示更多(+) NCT6126D 属于新唐输出输入芯片 (Super I/O) 系列,其设计乃是针对工业计算机的特殊应用。NCT6126D 支持 6 组全功能序列埠,每一个序列阜支持 128-byte FIFO、RS-485 数据流向控制;除此之外,NCT6126D 尚支持打印机介面、键盘&鼠标 (KBC) 介面、输出输入 (GPI/O) 介面等。 显示更少(-) 模拟器件 |
12 |
¥14.70 |
香港 |
Max:
Min: 720
Step: 90
720 |90 |
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M031FC1AE 是基于 Arm® Cortex®-M0 内核的低工作电压微控制器,具有 32 位硬体乘法器/除法器。运行工作频率高达 48 MHz,工作电压为 1.8 V~ 3.6 V,配备 显示更多(+) M031FC1AE 是基于 Arm® Cortex®-M0 内核的低工作电压微控制器,具有 32 位硬体乘法器/除法器。运行工作频率高达 48 MHz,工作电压为 1.8 V~ 3.6 V,配备 32 KB Flash和 4 KB SRAM。 显示更少(-) 模拟器件 |
12 |
期货 |
Max:
Min: 3920
Step: 490
3920 |490 |
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NUC980DK61Y 系列採用 ARM926EJ-S 核心,执行速度高达 300 MHz,堆叠 64 MB DDR-II 记忆体于同一封装,提供 128-pin LQFP 封装,大幅减少 PCB 尺寸和降低电磁干扰 显示更多(+) NUC980DK61Y 系列採用 ARM926EJ-S 核心,执行速度高达 300 MHz,堆叠 64 MB DDR-II 记忆体于同一封装,提供 128-pin LQFP 封装,大幅减少 PCB 尺寸和降低电磁干扰 ( EMI ),丰富的周边功能包含:10 组 UART 介面、SDIO / eMMC 介面、NAND Flash 介面、8 组 USB Host 、QSPI NAND 介面,2 组10 / 100 Mbps Ethernet MAC 和高速 USB 2.0 Host / Device 等,可以满足客户针对显示应用弹性设计的需求,并符合 - 40 ℃ 至 85 ℃ 工业温度规格,主要应用为工业自动化与物联网控制。 显示更少(-) 模拟器件 |
12 |
92 香港和深圳 |
Max: 720
Min: 720
Step: 90
720 |90 |
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M031SD2AE 是基于 Arm® Cortex®-M0 内核的低工作电压微控制器,具有 32 位硬体乘法器/除法器。运行工作频率高达 48 MHz,工作电压为 1.8 V~ 3.6 V,配备 显示更多(+) M031SD2AE 是基于 Arm® Cortex®-M0 内核的低工作电压微控制器,具有 32 位硬体乘法器/除法器。运行工作频率高达 48 MHz,工作电压为 1.8 V~ 3.6 V,配备 64 KB Flash和 8 KB SRAM。 显示更少(-) 模拟器件 |
12 |
¥5.57 |
香港和深圳 |
Max:
Min: 2000
Step: 250
2000 |250 |
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ML51EB9AE 为内建 flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器,正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz,并内建 38 显示更多(+) ML51EB9AE 为内建 flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器,正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz,并内建 38.4 kHz低速内部振盪器,支援宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V,工作温度:- 40 ℃ 至 105 ℃。 显示更少(-) 模拟器件 |
12 |
¥2.95 |
香港 |
Max:
Min: 5000
Step: 50
5000 |50 |
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12 |
期货 |
Max:
Min: 3920
Step: 490
3920 |490 |
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M484SIDAE以Arm® Cortex®-M4F为核心,是带有DSP指令集的高效能低功耗微控制器。其系统最高可运行至192 MHz,动态运作下的功耗仅175 µA/MHz。 内建512 KB双区块 (Dual Bank) 架构快闪记忆体 (Flash),可支援OTA (Over-The-Air) 韧体升级,并内建160 KB SRAM, 模拟器件 |
12 |
¥15.53 |
香港 |
Max:
Min: 2000
Step: 250
2000 |250 |
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12 |
¥5.27 |
香港和深圳 |
Max:
Min: 2000
Step: 250
2000 |250 |
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期货 |
Max:
Min: 30000
Step: 100
30000 |100 |
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NAU88C14YG 是一种低成本、低功耗的宽带单声道音频编解码器。它是为语音电话相关应用而设计的。功能包括5波段图形均衡器、带噪声门的自动电平控制(ALC)、PGA、标准音频接口 I2S、带时隙分配的 PCM 和片上 PLL。 模拟器件 |
12 |
¥3.90 |
香港 |
Max:
Min: 3920
Step: 490
3920 |490 |
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MS51XC0BE 带有 Flash 的增强型 8 位 8051 内核微控制器(1 T 工作模式),工作频率最高至 24 MHz,支援电压工作范围 2.4 V 显示更多(+) MS51XC0BE 带有 Flash 的增强型 8 位 8051 内核微控制器(1 T 工作模式),工作频率最高至 24 MHz,支援电压工作范围 2.4 V 至 5.5 V,工业级工作温度 : - 40 ℃ 至 105 ℃,并且包含 32 K 位元组的 Flash 以及一个额外 2 K 位元组片上辅助 RAM ( XRAM ),备有丰富的外设,如 18 个通用 I / O、计时器、看门狗计时器、2 组 UART、1 组 SPI、1 组 I²C、12*16-bit 路 PWM、10 路 12 位 ADC、3 组 ISO-7816 等。提供 QFN20 封装。 显示更少(-) 模拟器件 |
12 |
¥2.11 |
香港 |
Max:
Min: 2000
Step: 250
2000 |250 |
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NuMicro® NUC029LDE特色为宽电压工作范围2.5V ~ 5.5V,工作温度 -40℃ ~ +105℃,内建22.1184 MHz高精度晶振 (1%准确度)。NUC029LDE备有丰富的通讯介面,如高达12通道PWM、定时器、看门狗定时器、四组 UART、SPI、I²C、12位ADC、类比比较器等。 模拟器件 |
12 |
期货 |
Max:
Min: 2000
Step: 250
2000 |250 |